تمكن الباحثون في شركة إنتل من بناء أصغر خلية ذاكرة في العالم من نوع «الذاكرة الثابتة للوصول العشوائي» المعروفة،


اختصارا باسم SRAM، والتي يبلغ حجمها مايكرونا مربعا واحدا فقط، وتم بناء هذه الخلايا التي تعد الوحدات البنائية لشرائح الذاكرة لتكون جزءاً من أجهزة SRAM الوظيفية بالكامل والتي يتم تصنيعها باستخدام الجيل المقبل من تكنولوجيا عملية «90 نانومتر» الخاصة بشركة انتل، وينظر إلى هذا الانجاز على انه خطوة اساسية نحو البدء في تطبيق العملية الجديدة في العمليات الانتاجية خلال العام المقبل 2003.


ويقول جلبير لاكروا المدير العام لشركة انتل في الشرق الاوسط وشمال افريقيا: خلية الذاكرة الثابتة للوصول العشوائي من قياس مايكرون مربع واحد والتي توصلت اليها انتقل قد وضعت الاساس لمعايير جديدة لاختبار الاداء في عالم تكنولوجيا السيليكون، ومن شأن هذا الانجاز ان يوفر لنا زيادة مبكرة في تكنولوجيا عملية «90 نانومتر» التي تدخل في صناعة المعالجات والمنتجات الاخرى.


وبفضل تكنولوجيا عملية «90 نانومتر»، تكون انتل قد وضعت قدمها على الطريق الصحيح لتعزيز مسيرتها والمضي قدماً في نهجها الهادف إلى تقديم جيل جديد من العمليات كل عامين، وستعمل الشركة على بناء العديد من منتجاتها بالاعتماد على هذه العملية، بما في ذلك المعالجات ومجموعات الشرائح ومنتجات الاتصالات، وتعتزم انتل استخدام تكنولوجيا «90 نانومتر» بصورة خاصة في تصنيع الرقائق التي يبلغ سمك الواحدة منها 300 ميليمتر